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AOW480
Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Units
STATIC PARAMETERS
BV DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
I D =250 μ A, V GS =0V
80
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body leakage current
V DS =80V, V GS =0V
V DS =0V, V GS = ±25V
T J =55°C
10
50
100
μ A
nA
V GS(th)
I D(ON)
R DS(ON)
Gate Threshold Voltage
On state drain current
Static Drain-Source On-Resistance
V DS =5V , I D =250 μ A
V GS =10V, V DS =5V
V GS =10V, I D =20A
V GS =7V, I D =20A
T J =125°C
2
500
2.8
3.7
6.1
4
4.5
7.3
V
A
m ?
4.2
5.5
m ?
g FS
Forward Transconductance
V DS =5V, I D =20A
60
S
V SD
Diode Forward Voltage
I S =1A,V GS =0V
0.6
1
V
I S
Maximum Body-Diode Continuous Current
180
A
DYNAMIC PARAMETERS
C iss
Input Capacitance
5200
6520
7820
pF
C oss
C rss
R g
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate resistance
V GS =0V, V DS =40V, f=1MHz
V GS =0V, V DS =0V, f=1MHz
570
185
0.3
810
310
0.64
1060
430
1
pF
pF
?
SWITCHING PARAMETERS
Q g (10V)
Total Gate Charge
92
116
140
nC
Q gs
Q gd
Gate Source Charge
Gate Drain Charge
V GS =10V, V DS =40V, I D =20A
24
23
30
38
36
53
nC
nC
t D(on)
Turn-On DelayTime
31.5
ns
t r
t D(off)
t f
Turn-On Rise Time
Turn-Off DelayTime
Turn-Off Fall Time
V GS =10V, V DS =40V, R L =2 ? ,
R GEN =3 ?
33
46
17.5
ns
ns
ns
t rr
Body Diode Reverse Recovery Time
I F =20A, dI/dt=500A/ μ s
20
28
36
ns
Q rr
Body Diode Reverse Recovery Charge I F =20A, dI/dt=500A/ μ s
90
132
170
nC
A. The value of R θ JA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25 ° C. The
Power dissipation P DSM is based on R θ JA and the maximum allowed junction temperature of 150 ° C. The value in any given application depends
on the user's specific board design, and the maximum temperature of 175 ° C may be used if the PCB allows it.
B. The power dissipation P D is based on T J(MAX) =175 ° C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in setting the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used.
C. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T J(MAX) =175 ° C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep
initial T J =25 ° C.
D. The R θ JA is the sum of the thermal impedance from junction to case R θ JC and case to ambient.
E. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300 μ s pulses, duty cycle 0.5% max.
F. These curves are based on the junction-to-case thermal impedance which is measured with the device mounted to a large heatsink, assuming
a maximum junction temperature of T J(MAX) =175 ° C. The SOA curve provides a single pulse rating.
G. The maximum current is package limited .
H. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25 ° C.
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING
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Rev0: July 2011
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功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:aMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO262F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOWF10T60
功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1346pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:28W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-262F 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 标准包装:1,000
AOWF10T60P
功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:700毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1595pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-262-3 整包，I2Pak 供应商器件封装:TO-262F 标准包装:1,000